BFU520AR, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10 ГГц, 450 мВт, 30 мА, 60 hFE, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

Биполярный транзистор NPN, 12 В, 30 мА
Корпус TO236

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

BFU520AR

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159066

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 c

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Рассеиваемая Мощность

450мвт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

30ма

DC Усиление Тока hFE

60hfe

Частота Перехода ft

10ггц

Вес, г

0.3

Стандарты Автомобильной Промышленности

aec-q101

Корпус РЧ Транзистора

sot-23

Тип транзистора

Bipolar Wideband

Pd - рассеивание мощности

450 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

50 mA

Минимальная рабочая температура

40 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

24 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

16 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

2 V

Непрерывный коллекторный ток

5 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

NXP Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-23-3

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

10 GHz

Технология

Рабочая частота

900 MHz

Тип

Wideband RF Transistor

Диапазон рабочих температур

40 C to + 150 C

Техническая документация

Datasheet BFU520AR , pdf , 294 КБ
Datasheet , pdf , 305 КБ

BFU520AR, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 10 ГГц, 450 мВт, 30 мА, 60 hFE - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация