BFR843EL3E6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.6 В, 125 мВт, 55 мА, TSLP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BFR843EL3E6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159058

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

2.6В

Рассеиваемая Мощность

125мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

55мА

DC Усиление Тока hFE

230hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

TSLP

Тип транзистора

Bipolar

Pd - рассеивание мощности

125 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

230

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

2.25 V

Непрерывный коллекторный ток

55 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

15000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TSLP-3

Другие названия товара №

BFR 843EL3 E6327 SP001062610

Технология

SiGe

Рабочая частота

12 GHz

Техническая документация

Datasheet BFR843EL3E6327XTSA1 , pdf , 1515 КБ
Datasheet BFR843EL3E6327XTSA1 , pdf , 542 КБ

BFR843EL3E6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.6 В, 125 мВт, 55 мА, TSLP - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация