BFR840L3RHESDE6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 75 ГГц, 75 мВт, 35 мА, TSLP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159057

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

2.25В

Рассеиваемая Мощность

75мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

35мА

DC Усиление Тока hFE

150hFE

Частота Перехода ft

75ГГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

4.54

Корпус РЧ Транзистора

TSLP

Тип транзистора

Bipolar

Pd - рассеивание мощности

75 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

2.25 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

2.9 V

Непрерывный коллекторный ток

35 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

15000

Серия

BFR840L3

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TSLP-3

Другие названия товара №

BFR 840L3RHESD E6327 SP000978848

Технология

SiGe

Рабочая частота

75 GHz

Тип

RF Silicon Germanium

Техническая документация

Datasheet BFR840L3RHESDE6327XTSA1 , pdf , 1492 КБ
Datasheet BFR840L3RHESDE6327XTSA1 , pdf , 467 КБ

BFR840L3RHESDE6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 75 ГГц, 75 мВт, 35 мА, TSLP - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация