BFR181WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, AEC-Q101, NPN, 12 В, 8 ГГц, 175 мВт, 20 мА, SOT-323, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6.9 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

8 ГГц, NFmin = 0,9 дБ при 900 МГц
• Простота использования
• Отчет о квалификации в соответствии с AEC-Q101

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BFR181WH6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159050

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Рассеиваемая Мощность

175мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

20ма

DC Усиление Тока hFE

100hFE

Частота Перехода ft

8ГГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

BFR181 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

20mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

8GHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

175mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT323-3

Transistor Type

NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

12V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SOT-323

Gain

19dB

Noise Figure (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Техническая документация

Datasheet BFR181WH6327XTSA1 , pdf , 120 КБ

BFR181WH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, AEC-Q101, NPN, 12 В, 8 ГГц, 175 мВт, 20 мА, SOT-323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 6.9 руб.

Техническая документация