ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFP740ESDH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.7 В, 45 ГГц, 160 мВт, 45 мА, SOT-343 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFP740ESDH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.7 В, 45 ГГц, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFP740ESDH6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.7 В, 45 ГГц, 160 мВт, 45 мА, SOT-343
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
SiGe RF биполярные транзисторы, Infineon
Линейка сверхмалошумящих широкополосных биполярных RF-транзисторов NPN от Infineon. В этих биполярных устройствах с гетеропереходом используется технология Infineon, № 146; кремний-германий-углерод (SiGe: C), и они особенно подходят для использования в мобильных приложениях, в которых низкое энергопотребление является ключевым требованием. С типичными переходными частотами до 65 ГГц эти устройства обеспечивают высокий коэффициент усиления мощности на частотах до 10 ГГц при использовании в усилителях. Транзисторы включают внутреннюю схему для защиты от электростатического разряда и чрезмерной входной мощности РЧ.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFP740ESDH6327XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159022
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
4.7В
Рассеиваемая Мощность
160мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
45мА
DC Усиление Тока hFE
160hFE
Частота Перехода ft
45ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.006
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
3 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
4,9 В
Максимальный пост. ток коллектора
45 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
0,5 В
Максимальная рабочая частота
45 GHz
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-343
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
160
Техническая документация
Datasheet BFP740ESDH6327XTSA1 , pdf
, 1554 КБ