ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFP620FH7764XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.3 В, 65 ГГц, 185 мВт, 80 мА, TSFP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFP620FH7764XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.3 В, 65 ГГц, 185…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFP620FH7764XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.3 В, 65 ГГц, 185 мВт, 80 мА, TSFP
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
RF TRANSISTOR, NPN, 2.3V, 65GHZ, TSFP
Корпус SMD4, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 185 мВт, Напряжение КЭ максимальное 2.8 В, Ток коллектора 80 мА, Коэффициент усиления по току, min 110
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFP620FH7764XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159034
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
2.3В
Рассеиваемая Мощность
185мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
80мА
DC Усиление Тока hFE
110hFE
Частота Перехода ft
65ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.03
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
TSFP
Техническая документация
Datasheet BFP620FH7764XTSA1 , pdf
, 624 КБ