ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFP520, Транзистор NPN, биполярный, RF, 2,5В, 40мА, 100мВт, SOT343 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFP520, Транзистор NPN, биполярный, RF, 2,5В, 40мА, 100мВт, SOT343
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFP520, Транзистор NPN, биполярный, RF, 2,5В, 40мА, 100мВт, SOT343
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFP520H6327
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2113993
Технические параметры
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.06
Тип транзистора
Bipolar
Pd - рассеивание мощности
125 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
70
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
2.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
1 V
Непрерывный коллекторный ток
50 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BFP520
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-343
Другие названия товара №
BFP520H6327XTSA1 BFP52H6327XT SP000745280
Технология
Si
Рабочая частота
45 GHz
Тип
RF Bipolar Small Signal
Техническая документация
Datasheet BFP 520 H6327 , pdf
, 567 КБ