BFP196E6327HTSA1, NPN RF Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 65 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Биполярные РЧ транзисторы, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BFP196E6327HTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1159028

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.1

Base Product Number

BFP196 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

150mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

7.5GHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-253-4, TO-253AA

Power - Max

700mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT143-4

Transistor Type

NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

12V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Высота

0.9мм

Длина

2.9мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.3мм

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В перем. тока/пост. тока

Максимальный пост. ток коллектора

150 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

7,5 ГГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-143

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Gain

10.5dB ~ 16.5dB

Noise Figure (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

BFP196E6327HTSA1, NPN RF Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143 - характеристики, поставщики

Последняя цена 65 руб.