ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFP193E6327HTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 580 мВт, 80 мА, SOT-143 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFP193E6327HTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 580 мВ…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFP193E6327HTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 12 В, 8 ГГц, 580 мВт, 80 мА, SOT-143
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFP193E6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1159027
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
580мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
80мА
DC Усиление Тока hFE
70hFE
Частота Перехода ft
8ГГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.227
Base Product Number
BFP193 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
8GHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-253-4, TO-253AA
Power - Max
580mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-SOT143-4
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Корпус РЧ Транзистора
SOT-143
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BFP193
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-143-4
Другие названия товара №
193 BFP BFP193E6327XT E6327 SP000011024
Технология
Si
Gain
12dB ~ 18dB
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Техническая документация
Datasheet BFP193E6327HTSA1 , pdf
, 545 КБ
Datasheet , pdf
, 539 КБ