ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF861C,215, Транзистор, JFET, N-канал, 25В, 25мА [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BF861C,215, Транзистор, JFET, N-канал, 25В, 25мА [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
BF861C,215, Транзистор, JFET, N-канал, 25В, 25мА [SOT-23]
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BF861C,215
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1758845
Технические параметры
Тип Транзистора
JFET
Вес, г
0.05
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BF861
Тип
JFET
Торговая марка
NXP Semiconductors
Id - непрерывный ток утечки
25 mA
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
25 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Напряжение отсечки затвор-исток
0.8 V to - 2 V
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
SOT-23
Подкатегория
Transistors
Тип продукта
RF JFET Transistors
Продукт
RF JFET
Технология
Si
Другие названия товара №
934034400215
Максимальное напряжение сток-затвор
25 V
Техническая документация
BF861A_BF861B_BF861C , pdf
, 130 КБ
Datasheet BF861C.215 , pdf
, 125 КБ