ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF824W,135, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 25 мА, 200 мВт, SC-70, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BF824W,135, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 25 мА, 200 мВт, SC-70, S…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BF824W,135, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 25 мА, 200 мВт, SC-70, Surface Mount
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED FREQ
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BF824W,135
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1158663
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
sc-70
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
25мА
DC Усиление Тока hFE
25hFE
Частота Перехода ft
390МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25 at 1 mA at 10 V, 25 at 4 mA at 10 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.025 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
10000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35 mm
Другие названия товара №
/T3 BF824W
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
25 at 1 mA at 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
400 MHz
Техническая документация
Datasheet BF824W.135 , pdf
, 177 КБ