BDV66B, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 16 А, 125 Вт, TO-247, Through Hole, Multicomp - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

100 В минимум)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vceo (sat) = 2 В максимум при Ic = 10A)
• Напряжение коллектор-база (Vcbo = 100 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vebo = 5 В )
• Продукция Multicomp Pro имеет рейтинг 4,6 из 5 звезд
• 12-месячная ограниченная гарантия * см. Условия

Информация

Производитель

Multicomp

Артикул

BDV66B

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1158257

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

16А

Частота Перехода ft

6МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

Техническая документация

Datasheet BDV66B , pdf , 475 КБ

BDV66B, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 16 А, 125 Вт, TO-247, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 1110 руб.

Техническая документация