ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор BDV64BG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
Транзистор BDV64BG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
Транзистор BDV64BG
Последняя цена
73 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
100 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BDV64BG
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2471918
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Package / Case
TO-247
Transistor Type
PNP
Transistor Polarity
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 В пост. тока
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
15.2мм
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Package Type
TO-218
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.9мм
Maximum DC Collector Current
10 A
Height
20.35mm
Pin Count
3
Dimensions
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В пост. тока
Minimum DC Current Gain
1000
Вид монтажа
Through Hole
Высота
12.2 mm
Длина
15.2 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
1000
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Максимальный ток отсечки коллектора
400 uA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
30
Серия
BDV64B
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247
Ширина
4.9 mm
Series
BDV64B
Product Category
Darlington Transistors
Configuration
Single
Packaging
Tube
Manufacturer
ON Semiconductor
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
400 uA
Transistor Material
Si
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
DC Collector/Base Gain Hfe Min
1000
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Factory Pack Quantity
30
Mounting Style
Through Hole
Product Type
Darlington Transistors
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.229281 oz
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 113 КБ
Datasheet , pdf
, 228 КБ
Datasheet , pdf
, 117 КБ
