BDP947H6327XTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 3 А, 5 Вт, SOT-223, Surface Mount, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BDP947H6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1158238

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

45В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

5Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

3А

DC Усиление Тока hFE

50hFE

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.38

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

45 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Другие названия товара №

BDP 947 H6327 SP000748376

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Infineon-BDP947_BDP949_BDP953-DS-v01_01-en , pdf , 524 КБ
Datasheet BDP947H6327XTSA1 , pdf , 522 КБ

BDP947H6327XTSA1, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 3 А, 5 Вт, SOT-223, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация