BD676G, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 45 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

45 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)

Производитель

ONSEMI

Артикул

BD676G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157972

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

45В

Стиль Корпуса Транзистора

to-225aa

Рассеиваемая Мощность

40Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

4А

DC Усиление Тока hFE

750hFE

Частота Перехода ft

200МГц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.64

BD676G, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 45 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole - характеристики, поставщики