ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX70KE6327, Транзистор биполярный, NPN SмD - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCX70KE6327, Транзистор биполярный, NPN SмD
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX70KE6327, Транзистор биполярный, NPN SмD
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCX70KE6327
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2160469
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.07
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
380
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BCX70
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3 mm
Другие названия товара №
SP000010558 BCX7KE6327XT BCX70KE6327HTSA1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
630
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.2 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 556 КБ