ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX5316TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCX5316TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX5316TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT89
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCX5316TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2114951
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Transistor Type
PNP
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|100@150mA@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
1W
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-89
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.5
Package Length
4.5
Package Width
2.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Flat
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Максимальная рабочая частота
150 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Supplier Temperature Grade
Automotive
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet BCX5316TA , pdf
, 360 КБ
Datasheet BCX5316TA , pdf
, 305 КБ