ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX5316H6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCX5316H6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX5316H6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCX5316H6327XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2412036
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-89-4
Другие названия товара №
53-16 BCX H6327 SP001125456
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
125 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 mV
Техническая документация
Datasheet BCX5316H6327XTSA1 , pdf
, 520 КБ