ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX5110TA, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 1А, 1Вт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCX5110TA, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 1А, 1Вт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX5110TA, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 1А, 1Вт, SOT89
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCX5110TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2197637
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.06
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.5 mm
Длина
4.5 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63 at 150 mA, 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCX5110
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.5 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
63 at 150 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
150 MHz
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 311 КБ