BCX38C, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 800 мА, 1 Вт, E-Line, Through Hole, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• от -55 до 200 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCX38C

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157392

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

200 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

E-Line

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

800мА

DC Усиление Тока hFE

10000hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.16

Base Product Number

BCX38 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

800mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 500mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Transistor Type

NPN - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.25V @ 8mA, 800mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

800mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

5000@100mA@5V|10000@500mA@5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.77 x 2.41 x 4.01мм

Высота

4.01мм

Длина

4.77мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

2.41мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

5 W

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.25@8mA@800mA

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

200

Automotive

Standard Package Name

TO-92

Supplier Package

TO-92

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

4.83(Max)

Package Length

4.78(Max)

Package Width

3.66(Max)

PCB changed

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

TO-92

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальный непрерывный ток коллектора

800 мА

Максимальный запирающий ток коллектора

100nA

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

0.8

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

0.1

Техническая документация

Datasheet , pdf , 91 КБ

BCX38C, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 800 мА, 1 Вт, E-Line, Through Hole - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация