BCW89,215, Биполярный - РЧ транзистор, PNP, -60 В, 150 МГц, 250 мВт, -100 мА, SOT-23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BCW89,215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157386

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-60В

Рассеиваемая Мощность

250мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-100мА

DC Усиление Тока hFE

260hFE

Частота Перехода ft

150МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.02

Base Product Number

BCW89 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Корпус РЧ Транзистора

sot-23

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

933495320215

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

120 at 2 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.3 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,81 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

120

Техническая документация

Datasheet BCW89,215 , pdf , 107 КБ
Datasheet BCW89.215 , pdf , 177 КБ
Datasheet BCW89,215 , pdf , 297 КБ

BCW89,215, Биполярный - РЧ транзистор, PNP, -60 В, 150 МГц, 250 мВт, -100 мА, SOT-23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация