ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW72LT1G, Транзистор NPN 45В 100мА [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BCW72LT1G, Транзистор NPN 45В 100мА [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCW72LT1G, Транзистор NPN 45В 100мА [SOT-23-3]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BCW72LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157385
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Высота
0.94мм
Длина
2.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Техническая документация
BCW72LT1_D-1802622 , pdf
, 300 КБ
Datasheet , pdf
, 154 КБ
Datasheet BCW72LT1G , pdf
, 303 КБ
Datasheet BCW72LT1G , pdf
, 235 КБ