ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW68GE6327HTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCW68GE6327HTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCW68GE6327HTSA1, Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Транзисторы PNP общего назначения, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCW68GE6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2409521
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.7 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Maximum Collector Base Voltage
45 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
330 mW
Width
1.3mm
Maximum DC Collector Current
800 mA
Height
0.9mm
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
630
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
160
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
800 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BCW68
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-23-3
Другие названия товара №
BCW 68G E6327 SP000015039
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 821 КБ