BCW60DE6327HTSA1, Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Малосигнальные NPN-транзисторы, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BCW60DE6327HTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2477334

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.55 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

250 MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.9мм

Maximum Collector Base Voltage

32 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

32 В

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

330 мВт

Width

1.3мм

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

380

Максимальное напряжение коллектор-база

32 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

380

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

32 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

32 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCW60

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

BCW 60D E6327 SP000010549

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

630

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

32 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

250 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.05 V

Тип корпуса

SOT-23

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BCW60DE6327HTSA1 , pdf , 557 КБ
Datasheet BCW60DE6327HTSA1 , pdf , 554 КБ

BCW60DE6327HTSA1, Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация