ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCV72,215, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, SOT-23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCV72,215, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 250 мВт, 10…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCV72,215, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 60 В, 100 МГц, 250 мВт, 100 мА, SOT-23
Последняя цена
35 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BCV72,215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157356
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
60В
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
450hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
4.54
Base Product Number
BCV72 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Корпус РЧ Транзистора
sot-23
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 (Min) MHz
Length
3мм
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
SOT23
Maximum Power Dissipation
250 мВт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum DC Collector Current
100 mA
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
150
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.4 x 1mm
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4mm
Другие названия товара №
933495340215
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
200 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 mW
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
850 mV
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
850 мВ
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 178 КБ
Datasheet BCV72,215 , pdf
, 406 КБ
Datasheet BCV72,215 , pdf
, 207 КБ