ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCV65,215, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, 75 hFE, SOT-143B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCV65,215, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 30 В, 100 мА, 250…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCV65,215, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, 75 hFE, SOT-143B
Последняя цена
58 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Корпус TO253, Тип проводимости и конфигурация NPN/PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 78, Коэффициент усиления по току, max 800
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BCV65,215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157354
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-143B
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
NPN, PNP
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
75hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101