BCV62CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, PNP, 30 В, 100 мА, 300 мВт, 520 hFE, SOT-143, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 77 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

• Используется в качестве токового зеркала
• Высокое усиление по току
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BCV62CE6327HTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157342

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-143

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

520hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.32

Base Product Number

BCV62 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

250MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-253-4, TO-253AA

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT143-4

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

650 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

250 MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.9мм

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Transistor Configuration

Current Mirror

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Package Type

SOT-143

Maximum Power Dissipation

300 мВт

Width

1.3мм

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Dimensions

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

420

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCV62

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-143-4

Другие названия товара №

62C BCV BCV62CE6327XT E6327 SP000010891

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

650 мВ

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

250 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

850 mV

Тип корпуса

SOT-143

Техническая документация

Datasheet , pdf , 530 КБ
Datasheet BCV62CE6327HTSA1 , pdf , 531 КБ

BCV62CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, PNP, 30 В, 100 мА, 300 мВт, 520 hFE, SOT-143 - характеристики, поставщики

Последняя цена 77 руб.

Техническая документация