BCV61CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, NPN, 30 В, 100 мА, 300 мВт, 520 hFE, SOT-143, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7.1 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

• Используется в качестве токового зеркала
• Высокое усиление по току
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BCV61CE6327HTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157339

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

30В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-143

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

520hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

BCV61 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-253-4, TO-253AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT143-4

Transistor Type

2 NPN, Base Collector Junction

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Transistor Configuration

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN-NO/NC

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCV61

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-143-4

Ширина

1.3мм

Другие названия товара №

BCV 61C E6327 SP000010887

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 мВ

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

250 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-143

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

900 мВ

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Applications

Current Mirror

Current Rating (Amps)

100mA

Voltage - Rated

30V

Материал транзистора

Кремний

Техническая документация

Datasheet BCV61CE6327HTSA1 , pdf , 531 КБ
Datasheet BCV61CE6327HTSA1 , pdf , 529 КБ

BCV61CE6327HTSA1, Массив биполярных транзисторов, NPN, 30 В, 100 мА, 300 мВт, 520 hFE, SOT-143 - характеристики, поставщики

Последняя цена 7.1 руб.

Техническая документация