BCR555E6327, Транзистор PNP, биполярный, 50В, 500мА, 330мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BCR555E6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2128956

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.02

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BCR555

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

SP000010855 BCR555E6327XT BCR555E6327HTSA1

Пиковый постоянный ток коллектора

500 mA

Типичное входное сопротивление

2.2 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.22

Техническая документация

Datasheet , pdf , 525 КБ

BCR555E6327, Транзистор PNP, биполярный, 50В, 500мА, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация