ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор BCR503E6327 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
Транзистор BCR503E6327
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
Транзистор BCR503E6327
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCR503E6327
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2476256
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BCR503
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3 mm
Другие названия товара №
BCR503E6327HTSA1 BCR53E6327XT SP000010839
Пиковый постоянный ток коллектора
500 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Техническая документация
Datasheet BCR 503 E6327 , pdf
, 524 КБ
