BCP56T1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BCP56T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2135605

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1.5Вт

Полярность Транзистора

NPN

DC Ток Коллектора

1А

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

130МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.06

Base Product Number

BCP56 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Number of Elements per Chip

Maximum DC Collector Current

Pin Count

Minimum DC Current Gain

25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

1.5W

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.57 mm

Длина

6.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP56

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.5 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.5@50mA@500mA

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

1500

Maximum Transition Frequency (MHz)

130(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet , pdf , 70 КБ
Datasheet , pdf , 127 КБ
Datasheet , pdf , 74 КБ
Datasheet , pdf , 69 КБ
Datasheet , pdf , 67 КБ

BCP56T1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация