BCP56HX, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2.2 Вт, SOT-223, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 75 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 80 V, 1 A NPN md power transistors

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BCP56HX

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157247

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

2.2Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

1а

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

155МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.004

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Линейка Продукции

BCP56H Series

Pd - рассеивание мощности

2.2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-4

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

155 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1284 КБ
Datasheet , pdf , 1203 КБ

BCP56HX, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2.2 Вт, SOT-223, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 75 руб.

Техническая документация