BCP5616QTC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCP5616QTC

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2406643

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

25 at 5 mA, 2 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

4000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-3

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250 at 150 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet BCP5616QTC , pdf , 377 КБ

BCP5616QTC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация