BCP5616QTA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9.8 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCP5616QTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2406782

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Base Product Number

BCP5616 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-3

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet BCP5616QTA , pdf , 383 КБ
Datasheet BCP5616QTA , pdf , 369 КБ
Datasheet , pdf , 376 КБ

BCP5616QTA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 9.8 руб.

Техническая документация