ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP56-16T1G, Транзистор NPN 80В 1А [SOT-223]
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
NPN Bipolar Transistor, hFE 100 to 250
Корпус SOT-223, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BCP56-16T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758651
Технические параметры
Вес, г
0.39
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1,5
Корпус
SOT-223
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
130
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 70 КБ
Datasheet , pdf
, 127 КБ
Datasheet , pdf
, 74 КБ
Datasheet , pdf
, 69 КБ
BCP56 , pdf
, 74 КБ
Datasheet , pdf
, 82 КБ