BCP56-10T3G, Транзистор NPN, 80В, 1А, [SOT-223], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 74 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT223 GP XSTR NP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BCP56-10T3G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1758648

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

BCP56

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

BCP56T1 , pdf , 73 КБ

BCP56-10T3G, Транзистор NPN, 80В, 1А, [SOT-223] - характеристики, поставщики

Последняя цена 74 руб.

Техническая документация