BCP55TA, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCP55TA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2186644

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.12

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

2000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP55

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 376 КБ
Datasheet , pdf , 425 КБ

BCP55TA, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация