ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP5516TA, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 1А; 2Вт; SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCP5516TA, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 1А; 2Вт; SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP5516TA, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 1А; 2Вт; SOT223
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, до 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCP5516TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157236
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.112
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Высота
1.65мм
Длина
6.55мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.55мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 MHz
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100