BCP55,115, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А, 640 мВт, SOT-223, Surface Mount, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 91 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

• Большой ток
• Три варианта усиления по току
• Высокая рассеиваемая мощность
• Открытый радиатор для отличной тепло- и электропроводности
• Соответствует стандарту AEC-Q101

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BCP55,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157232

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

640мВт

Полярность Транзистора

NPN

DC Ток Коллектора

1А

DC Усиление Тока hFE

63hFE

Частота Перехода ft

180МГц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.23

Transistor Type

NPN

Линейка Продукции

BCP55 Series

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

1.35W

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Pd - рассеивание мощности

960 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

BCP55 T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

63 at 5 mA at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

180 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

960 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

180 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

-40

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1979 КБ

BCP55,115, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А, 640 мВт, SOT-223, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 91 руб.

Техническая документация