BCP5316TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCP5316TA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2119893

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.14

Base Product Number

BCP5316 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

150 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.55mm

Maximum Collector Base Voltage

-100 V

Transistor Configuration

Single

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

2 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

3.55mm

Maximum DC Collector Current

1 A

Height

1.65mm

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

6.55 x 3.55 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

100

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

-100 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

PNP

Размеры

6.55 x 3.55 x 1.65mm

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.55mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

25 at - 5 mA at - 2 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP53

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.55mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250 at - 150 mA at - 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

125 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

150 MHz

Тип корпуса

SOT-223

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Техническая документация

Datasheet , pdf , 394 КБ
Datasheet , pdf , 348 КБ

BCP5316TA, Транзистор PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация