ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP52TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCP52TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP52TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCP52TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2182915
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.19
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65 mm
Длина
6.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP52
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
125 MHz
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 348 КБ