BCP5216TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BCP5216TA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2141399

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.12

Base Product Number

BCP5216 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

150 МГц

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

60 В

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

2 Вт

Dimensions

6.55 x 3.55 x 1.65мм

Maximum Emitter Base Voltage

-5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

6.55 x 3.55 x 1.65мм

Pd - рассеивание мощности

2000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.55мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP52

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.55мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

125 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0.5 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

150 MHz

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Техническая документация

Datasheet , pdf , 394 КБ
Datasheet , pdf , 348 КБ

BCP5216TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация