BCM856DS,115, Массив биполярных транзисторов, PNP, -65 В, -100 мА, 380 мВт, 290 hFE, SOT-457, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 88 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BCM856DS,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157193

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-65В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-457

Рассеиваемая Мощность

380мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-100мА

DC Усиление Тока hFE

290hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.01

Base Product Number

BCM856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

175MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-74, SOT-457

Power - Max

380mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSOP

Transistor Type

2 PNP (Dual) Matched Pair

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Transistor Configuration

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

3.1 x 1.7 x 1.1мм

Pd - рассеивание мощности

380 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3.1мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SC-74-6

Ширина

1.7мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

175 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-400 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-457 (SC-74)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Техническая документация

Datasheet , pdf , 643 КБ
Datasheet BCM856DS.115 , pdf , 629 КБ
Datasheet , pdf , 105 КБ

BCM856DS,115, Массив биполярных транзисторов, PNP, -65 В, -100 мА, 380 мВт, 290 hFE, SOT-457 - характеристики, поставщики

Последняя цена 88 руб.

Техническая документация