BCM56DSF, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 80 В, 1 А, 400 мВт, 0.95 hFE, TSOP, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 73 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BCM56DS SC-74

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BCM56DSF

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157176

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

80В

Стиль Корпуса Транзистора

TSOP

Рассеиваемая Мощность

400мВт

Полярность Транзистора

Двойной NPN

DC Ток Коллектора

1а

DC Усиление Тока hFE

0.95hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.075

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Pd - рассеивание мощности

320 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSOP-6

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

250

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

155 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Техническая документация

Datasheet BCM56DSF , pdf , 237 КБ
Datasheet BCM56DSF , pdf , 240 КБ

BCM56DSF, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 80 В, 1 А, 400 мВт, 0.95 hFE, TSOP - характеристики, поставщики

Последняя цена 73 руб.

Техническая документация