BC858BWH6327, Транзистор PNP, биполярный, 30В, 100мА, 250мВт, SOT323, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BC858BWH6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2169985

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.06

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC858

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-323-3

Другие названия товара №

BC858BWH6327XT SP000747582 BC858BWH6327XTSA1

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

450

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

250 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 868 КБ

BC858BWH6327, Транзистор PNP, биполярный, 30В, 100мА, 250мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 5 руб.

Техническая документация