BC857W,115, Биполярный - РЧ транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 200 мВт, -100 мА, SOT-323, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC857W,115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1157081

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-45В

Рассеиваемая Мощность

200мВт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-100мА

DC Усиление Тока hFE

800hFE

Частота Перехода ft

100мгц

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.02

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Корпус РЧ Транзистора

SOT-323

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

125

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35 mm

Другие названия товара №

934021830115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

125 at 2 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Техническая документация

Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

BC857W,115, Биполярный - РЧ транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 200 мВт, -100 мА, SOT-323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 27 руб.

Техническая документация