ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857CM,315, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 430 мВт, DFN1006, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC857CM,315, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 430 мВт, DFN100…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857CM,315, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 430 мВт, DFN1006, Surface Mount
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 45V 100mA
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC857CM,315
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157077
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1006
Рассеиваемая Мощность
430мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
420hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Линейка Продукции
BC857M Series
Pd - рассеивание мощности
430 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.47 mm
Длина
1.02 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
420 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
10000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
DFN1006-3
Ширина
0.62 mm
Другие названия товара №
934057148315
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
420 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 215 КБ