BC857CE6327, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 330мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 45V 0.1A

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BC857CE6327

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2140517

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.06

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

BC857CE6327HTSA1 BC857CE6327XT SP000010640

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

250 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 868 КБ

BC857CE6327, Транзистор PNP, биполярный, 45В, 100мА, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация