ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857BU3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
BC857BU3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857BU3HZGT106, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
Последняя цена
54 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
BC857BU3HZGT106
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1157069
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
200мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
100мА
DC Усиление Тока hFE
210hFE
Частота Перехода ft
250МГц
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.45
Base Product Number
BC857 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
210 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
UMT3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
210
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-323-3
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
480
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
250 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
300 mV
Техническая документация
Datasheet BC857BU3HZGT106 , pdf
, 1406 КБ
Datasheet BC857BU3HZGT106 , pdf
, 1393 КБ