BC857BS-7-F, Биполярный транзистор, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Малосигнальные PNP-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC857BS-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1627466

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.4 V

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Transistor Configuration

Изолированный

Brand

DiodesZetex

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

220

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Конфигурация транзистора

Изолированный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at -2 mA, - 5 V

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-363-6

Ширина

1.35мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0.4 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

400 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.7 V

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,7 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Техническая документация

Datasheet , pdf , 195 КБ

BC857BS-7-F, Биполярный транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация